Stromführende Vorrichtungsstruktur für Leistungs-Mosfet und Herstellungsverfahren
EP3742499
Art A1
25. November 2020
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3742499
- Aktenzeichen
- EP20174211
- Anmeldetag
- 12. Mai 2020
- Veröffentlichung
- 25. November 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/06H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Bradler, Carola Romana
NXP Semiconductors Germany GmbH · Hamburg