Verfahren zur Laserbehandlung eines Halbleiterwafers mit Algainp-Leds zur Erhöhung Ihrer Lichterzeugungseffizienz

EP3745471 Art A1 2. Dezember 2020

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3745471
Aktenzeichen: EP19177581
Anmeldetag: 31. Mai 2019
Veröffentlichung: 2. Dezember 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/00H01L21/268// H01L21/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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