Verfahren zur Laserbehandlung eines Halbleiterwafers mit Algainp-Leds zur Erhöhung Ihrer Lichterzeugungseffizienz

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3745471

Aktenzeichen

EP19177581

Anmeldetag

31. Mai 2019

Veröffentlichung

2. Dezember 2020

Rechtsraum

EP

IPC

H01L33/00H01L21/268// H01L21/18

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma

OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Land

🇩🇪 Deutschland

Fachgebiete