Hochstromtransformator auf Basis eines Integrierten Schaltkreises
EP3758030
Art B1
4. Januar 2023
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3758030
- Aktenzeichen
- EP20179697
- Anmeldetag
- 12. Juni 2020
- Veröffentlichung
- 4. Januar 2023
- Erteilung
- 4. Januar 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01F27/28H01F27/29H01L23/522
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
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Bradler, Carola Romana
NXP Semiconductors Germany GmbH · Hamburg