Verfahren zur Bildung von Abstandhaltern für einen Transistor
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Centre National de la Recherche Scientifique, Université Grenoble Alpes 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3764390
- Aktenzeichen
- EP20185199
- Anmeldetag
- 10. Juli 2020
- Veröffentlichung
- 1. November 2023
- Erteilung
- 1. November 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/311H01L29/66
Abstract
According to one aspect, a method for forming spacers on a gate pattern is provided comprising: - Deposition of a first dielectric layer comprising basal portions on the active layer and lateral portions on the flanks of the pattern, - Anisotropic modification of only the basal portions of this first layer, so as to obtain modified basal portions. - Deposition of a second dielectric layer on the first layer, also comprising basal and lateral portions, - Anisotropic etching of only the basal portions of this second layer, so as to eliminate these basal portions while retaining the lateral portions, - Removing the modified basal portions while retaining the unmodified first and second lateral portions, by selective etching of the modified dielectric material with respect to the unmodified dielectric material. - A preferred field of application concerns the production of FinFET or FDSOI transistors.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Centre National de la Recherche Scientifique
Université Grenoble Alpes - Land
- 🇫🇷 Frankreich
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