Verfahren zur Herstellung von Hochspannungstransistoren, die Unempfindlich Gegenüber Nadeldefekten in einer Flachen Grabenisolation Sind
EP3764391
Art A1
13. Januar 2021
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3764391
- Aktenzeichen
- EP20182796
- Anmeldetag
- 29. Juni 2020
- Veröffentlichung
- 13. Januar 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78H01L29/40H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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