Implantierte Dotierstoffaktivierung für eine Halbleiterelektronik mit Breiter Bandlücke

EP3766095 Art A1 20. Januar 2021

Anmelder: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3766095
Aktenzeichen: EP19796570
Anmeldetag: 30. April 2019
Veröffentlichung: 20. Januar 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/265H01L21/268H01L21/324H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 The Government of the United States of America As Represented By the Secretary of the Navy

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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