Laminatstruktur und Verfahren zur Herstellung davon und Halbleiterbauelement

EP3796372 Art A1 24. März 2021

Anmelder: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3796372
Aktenzeichen: EP19833991
Anmeldetag: 21. Juni 2019
Veröffentlichung: 24. März 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H10N70/00H10N70/20C01B19/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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