Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Halbleitermaterial Gemäss der Fz-Methode; Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens und Halbleiterscheibe aus Silizium
EP3810834
Art A1
28. April 2021
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3810834
- Aktenzeichen
- EP19728955
- Anmeldetag
- 4. Juni 2019
- Veröffentlichung
- 28. April 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B13/20C30B13/26C30B30/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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