Dreidimensionale Speicherbauelemente und Verfahren zur Formung davon
EP3811405
Art B1
12. Februar 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3811405
- Aktenzeichen
- EP18933094
- Anmeldetag
- 14. September 2018
- Veröffentlichung
- 12. Februar 2025
- Erteilung
- 12. Februar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B41/27H01L27/06H10B41/41
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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