Verfahren zur Herstellung einer Iii-Nitrid-Halbleiterstruktur

EP3813096 Art A1 28. April 2021

Anmelder: Imec VZW 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3813096
Aktenzeichen: EP19204534
Anmeldetag: 22. Oktober 2019
Veröffentlichung: 28. April 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20H01L21/306H01L21/308

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Imec VZW
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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