Inter-Deck-Stöpsel in einer Dreidimensionalen Speichervorrichtung und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP3815133
Art B1
5. Juli 2023
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3815133
- Aktenzeichen
- EP18936506
- Anmeldetag
- 9. Oktober 2018
- Veröffentlichung
- 5. Juli 2023
- Erteilung
- 5. Juli 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/82H10B43/27
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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