Verfahren zur Herstellung einer Dreidimensionalen Speichervorrichtung mit Kanalstrukturen mit Nativer Oxidschicht
EP3815140
Art B1
28. Februar 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3815140
- Aktenzeichen
- EP18936720
- Anmeldetag
- 8. Oktober 2018
- Veröffentlichung
- 28. Februar 2024
- Erteilung
- 28. Februar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/27H01L21/28// G11C16/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank