Verfahren zur Herstellung eines Selbstausgerichteten Gate- und Source/drain-Kontaktes zum Kontaktieren eines Fet-Transistors

EP3817038 Art A1 5. Mai 2021

Anmelder: Imec VZW 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3817038
Aktenzeichen: EP19206038
Anmeldetag: 29. Oktober 2019
Veröffentlichung: 5. Mai 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8234H01L21/768H01L29/417H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Imec VZW
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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