Halbleitergehäuse mit einem zu einem Kupferstanzgitterteil Diffusionsgelöteten Leistungshalbleiterchip aus Siliciumcarbid und Entsprechendes Herstellungsverfahren

EP3817044 Art A1 5. Mai 2021

Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3817044
Aktenzeichen: EP19206963
Anmeldetag: 4. November 2019
Veröffentlichung: 5. Mai 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/488H01L23/495H01L23/482H01L21/60

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies Austria AG
Land: 🇦🇹 Österreich

🇦🇹 Infineon Technologies Austria

Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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