Kombinierte Mcd- und Mos-Transistorhalbleitervorrichtung
EP3817067
Art A1
5. Mai 2021
Anmelder: Nexperia B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3817067
- Aktenzeichen
- EP19206163
- Anmeldetag
- 30. Oktober 2019
- Veröffentlichung
- 5. Mai 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/40H01L29/06H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nexperia B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
Nexperia
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
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