Verfahren zur Fragmentierung oder Verfahren zur Herstellung von Rissen in einem Halbleiterrohstoff und Verfahren zur Herstellung einer Masse aus Halbleiterrohstoff

EP3819031 Art A1 12. Mai 2021

Anmelder: High-Purity Silicon Corporation, Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3819031
Aktenzeichen: EP19830553
Anmeldetag: 3. Juli 2019
Veröffentlichung: 12. Mai 2021
Rechtsraum: EP
IPC: B02C19/18B02C19/00B02C23/36C30B15/00C30B29/06H01L21/304C30B35/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: High-Purity Silicon Corporation
Mitsubishi Materials Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Verfahrens- & Trenntechnik

Vertreten von