Ätzen von Atomschichtätzen mittels Elektronenanregung
EP3821457
Art A1
19. Mai 2021
Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3821457
- Aktenzeichen
- EP19833221
- Anmeldetag
- 3. Juli 2019
- Veröffentlichung
- 19. Mai 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3065H01L21/311H01L21/67H01J37/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Lam Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
2.725 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kontrus, Gerhard
Villach, Österreich
229
Patente gesamt
16
Fachgebiete
3
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München