Verfahren zur Herstellung eines Kanallochs in einer Dreidimensionalen Speichervorrichtung unter Verwendung einer Nichtkonformen Opferschicht
EP3821465
Art B1
6. März 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3821465
- Aktenzeichen
- EP18936737
- Anmeldetag
- 11. Oktober 2018
- Veröffentlichung
- 6. März 2024
- Erteilung
- 6. März 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/00H10B41/27H10B43/27H01L21/02H01L21/311
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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