Verfahren zur Reduzierung von Defekten in einem Halbleiterstopfen in einer Dreidimensionalen Speichervorrichtung
EP3821467
Art A1
19. Mai 2021
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3821467
- Aktenzeichen
- EP18936472
- Anmeldetag
- 9. Oktober 2018
- Veröffentlichung
- 19. Mai 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/11582
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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