Dreidimensionale Speichervorrichtung mit einem Per Rückseitensubstratausdünnung Geformten Halbleiterstopfen

EP3830872 Art B1 4. Dezember 2024

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3830872
Aktenzeichen
EP18938109
Anmeldetag
23. Oktober 2018
Veröffentlichung
4. Dezember 2024
Erteilung
4. Dezember 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/10G11C16/04H01L23/00H10B43/27
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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