Nichtflüchtige Speichervorrichtung
Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3832653
- Aktenzeichen
- EP20193222
- Anmeldetag
- 27. August 2020
- Veröffentlichung
- 4. März 2026
- Erteilung
- 4. März 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C13/00G11C16/04
Abstract
A nonvolatile memory device includes; a memory cell area including a cell structure and a common source plate. The memory cell area is mounted on a peripheral circuit area including a buried area covered by the memory cell area and an exposed area uncovered by the memory cell area. A first peripheral circuit (PC) via extending from the exposed area, and a common source (CS) via extending from the common source plate, wherein the first PC via and the CS via are connected by a CS wire disposed outside the cell structure and providing a bias voltage to the common source plate.
Anmelder
- Firma
- Samsung Electronics Co., Ltd.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.
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Fachgebiete
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