Mehrschichtiges Gate-Dielektrikum mit Hoher Dielektrizitätskonstante für einen Hochleistungslogiktransistor

EP3832735 Art A3 14. Juli 2021

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3832735
Aktenzeichen: EP20198182
Anmeldetag: 24. September 2020
Veröffentlichung: 14. Juli 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L29/66H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.631 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von