Ic-Gehäuse
EP3834227
Art B1
4. September 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3834227
- Aktenzeichen
- EP18938731
- Anmeldetag
- 30. Oktober 2018
- Veröffentlichung
- 4. September 2024
- Erteilung
- 4. September 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/31H01L21/56H01L23/16H01L23/433H01L23/544H01L25/065H01L21/98H01L23/488H01L23/48H01L23/49H01L21/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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