Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium, der mit Dotierstoff vom N-Typ Dotiert Ist
EP3835463
Art A1
16. Juni 2021
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3835463
- Aktenzeichen
- EP19216068
- Anmeldetag
- 13. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 16. Juni 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B15/04C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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