Killinger, Andreas
Inhouse Siltronic AG
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Patente
71 gesamt| Patent | |||
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17.06.2026 · Siltronic AG
Wafer mit einer Mehrschichtigen Struktur und Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer Mehrschichtigen Struktur
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Zusammenfassung
A wafer comprising a multilayered structure, wherein the multilayered structure comprises in this ordera silicon substrate;a buffer structure; andone or more monocrystalline device layers having a total thickness of not less than 80 nm and not more than 1000 nm and comprising at least one GaN layer;the buffer structure comprising in this orderat least one AIN nucleation layer;an Al<sub>z</sub>Ga<sub>1-z</sub>N layer;at least one superlattice structure comprising 20 to 120 periods, each period consisting of a layer of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N and a layer of Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N; anda monocrystalline GaN buffer layer having a carbon concentration of not less than 1 × 10<sup>18</sup> cm<sup>-3</sup> and not more than 1 × 10<sup>20</sup> cm<sup>-3</sup> and a thickness of not less than 0.5 µm and not more than 4 µm;wherein 0.3≤z≤0.7; 0.6≤x≤1.0; and 0≤y≤0.4; andcharacterized in thatat least one of the at least one superlattice structure comprises carbon in a concentration of not less than 1 × 10<sup>17</sup> cm<sup>-3</sup> and not more than 1 × 10<sup>20</sup> cm<sup>-3</sup>, andthe buffer structure comprises islands having a layered structure and consisting of alternating layers of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N and Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N, the islands being located in-between the Al<sub>z</sub>Ga<sub>1-z</sub>N layer and the at least one superlattice structure consisting of alternating layers of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N and Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N. |
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21.05.2025 · Siltronic AG
Verfahren zum Ausbau eines Stabes aus einer Kristallziehanlage
Metallurgie & Oberflächentechnik
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22.01.2025 · Siltronic AG
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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01.05.2024 · Siltronic AG
Verfahren zum Schleifen einer Halbleiterscheibe
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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01.05.2024 · Siltronic AG
Monokristalline Halbleiterscheibe und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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31.01.2024 · Siltronic AG
Verfahren zum Schleifen von Halbleiterscheiben
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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03.01.2024 · Siltronic AG
Kristallstück aus Monokristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Zusammenfassung
Kristallstück aus monokristallinem Silicium, das zur Herstellung von Halbleiterscheiben vorgesehen ist, mit einer Länge von nicht weniger als 8 cm und nicht mehr als 50 cm und einem Durchmesser nicht kleiner als 280 mm und nicht größer als 320 mm, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil der daraus hergestellten Halbleiterscheiben, die frei sind von Pinholes mit einer Größe von nicht mehr als 30 µm, größer ist als 96,2 %. |
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04.01.2023 · Siltronic AG
Verfahren zum Klassifizieren von Unbekannten Partikeln auf einer Oberfläche einer Halbleiterscheibe
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
Verfahren zum Klassifizieren von unbekannten Partikeln auf einer Oberfläche einer Halbleiterscheibe umfassend das Aufbringen von Partikel bekannter chemischer Zusammensetzung unter-schiedlicher Größe auf einer Testscheibe, Bestimmen einer Größe mehrerer Partikel bekannter chemischer Zusammensetzung und Aufnehmen eines Spektrums einer energiedispersiven Röntgenspektroskopie mehrerer Partikel bekannter chemischer Zusammensetzung, gefolgt vom jeweiligen Bestimmen eines Stoffgehaltes daraus, und Anpassen einer Ausgleichskurve an Größe und Stoffgehalt der Partikel bekannter chemischer Zusammensetzung, ferner das Bestimmen einer Partikelgröße eines unbekannten Partikels und ein Aufnehmen eines Spektrums einer energiedispersive Röntgenspektroskopie des unbekannten Partikels und daraus ermitteln des Stoffgehaltes des unbekannten Partikels auf einer Halbleiterscheibe und Klassifizieren des unbekannten Partikels als Ergebnis des Vergleiches der Größe und des Stoffgehaltes des unbekannten Partikels mit der Ausgleichskurve. |
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30.11.2022 · Siltronic AG
Vorrichtung zum Abscheiden vom Polysilicium und Entsprechendes Verfahren
Verfahrens- & Trenntechnik
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10.08.2022 · Siltronic AG
Drahtsäge und Verfahren zum Gleichzeitigen Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Stab
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Vertretene Patentanmelder
Die Patentanmelder, die Killinger, Andreas in den erfassten Patenten am häufigsten vertritt.
| Anmelder | Anzahl Patente |
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| 1. Wacker Chemie | 50 |
| 2. Siltronic | 22 |
Patente nach Jahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung: so viele Anmeldungen sind für das Jahr insgesamt zu erwarten.