Killinger, Andreas

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum chemisch-mechanischen-Polieren wenigstens einer Substrathalbleiterscheibe mittels einer Poliervorrichtung umfassend wenigstens einen Polierkopf, der wenigstens eine Druckkammer und einen Haltering am äußeren Rand umfasst, wobei wenigstens eine aktuell zu polierende Substrathalbleiterscheibe eine erste Scheibenseite und eine zweite Scheibenseite umfasst, wobei das Verfahren wenigstens eine Polierabfolge umfasst, welche folgende Schritte umfasst: (I): Kontaktieren der ersten Scheibenseite der Substrathalbleiterscheibe mit einem Poliertuch, welches auf einem Polierteller der Poliervorrichtung aufgebracht ist; (II): Bestimmen und Einstellen eines Polierdrucks an dem Polierkopf, wobei der Polierdruck durch eine Polierdruckverteilung beschrieben ist, wobei sich der Polierdruck aus wenigstens einem Polierkammerdruck einer zugeordneten Druckkammer zusammensetzt, wobei das Bestimmen des Polierdrucks, insbesondere das Bestimmen des wenigstens einen Polierkammerdrucks, durch Rückgriff auf eine Datenbank von Polierrezepten wenigstens in Abhängigkeit wenigstens einer zuvor ermittelten räumlichen Ist-Kontur für die erste Scheibenseite der Substrathalbleiterscheibe und einer vorgebbaren räumlichen Soll-Kontur der ersten Scheibenseite der Substrathableiterscheibe erfolgt; und (III): Ausüben des Polierdruckes, insbesondere des wenigstens einen Polierkammerdrucks, aus Schritt II) auf die zweite Scheibenseite über die zugeordnete wenigstens eine Druckkammer des wenigstens einen Polierkopfs und die Kontaktierung des Halterings auf das Poliertuch.

A wafer comprising a multilayered structure, wherein the multilayered structure comprises in this ordera silicon substrate;a buffer structure; andone or more monocrystalline device layers having a total thickness of not less than 80 nm and not more than 1000 nm and comprising at least one GaN layer;the buffer structure comprising in this orderat least one AIN nucleation layer;an Al_zGa_1-zN layer;at least one superlattice structure comprising 20 to 120 periods, each period consisting of a layer of Al_xGa_1-xN and a layer of Al_yGa_1-yN; anda monocrystalline GaN buffer layer having a carbon concentration of not less than 1 × 10¹⁸ cm^-3 and not more than 1 × 10²⁰ cm^-3 and a thickness of not less than 0.5 µm and not more than 4 µm;wherein 0.3≤z≤0.7; 0.6≤x≤1.0; and 0≤y≤0.4; andcharacterized in thatat least one of the at least one superlattice structure comprises carbon in a concentration of not less than 1 × 10¹⁷ cm^-3 and not more than 1 × 10²⁰ cm^-3, andthe buffer structure comprises islands having a layered structure and consisting of alternating layers of Al_xGa_1-xN and Al_yGa_1-yN, the islands being located in-between the Al_zGa_1-zN layer and the at least one superlattice structure consisting of alternating layers of Al_xGa_1-xN and Al_yGa_1-yN.

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Kristallstück aus monokristallinem Silicium, das zur Herstellung von Halbleiterscheiben vorgesehen ist, mit einer Länge von nicht weniger als 8 cm und nicht mehr als 50 cm und einem Durchmesser nicht kleiner als 280 mm und nicht größer als 320 mm, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil der daraus hergestellten Halbleiterscheiben, die frei sind von Pinholes mit einer Größe von nicht mehr als 30 µm, größer ist als 96,2 %.

Verfahren zum Klassifizieren von unbekannten Partikeln auf einer Oberfläche einer Halbleiterscheibe umfassend das Aufbringen von Partikel bekannter chemischer Zusammensetzung unter-schiedlicher Größe auf einer Testscheibe, Bestimmen einer Größe mehrerer Partikel bekannter chemischer Zusammensetzung und Aufnehmen eines Spektrums einer energiedispersiven Röntgenspektroskopie mehrerer Partikel bekannter chemischer Zusammensetzung, gefolgt vom jeweiligen Bestimmen eines Stoffgehaltes daraus, und Anpassen einer Ausgleichskurve an Größe und Stoffgehalt der Partikel bekannter chemischer Zusammensetzung, ferner das Bestimmen einer Partikelgröße eines unbekannten Partikels und ein Aufnehmen eines Spektrums einer energiedispersive Röntgenspektroskopie des unbekannten Partikels und daraus ermitteln des Stoffgehaltes des unbekannten Partikels auf einer Halbleiterscheibe und Klassifizieren des unbekannten Partikels als Ergebnis des Vergleiches der Größe und des Stoffgehaltes des unbekannten Partikels mit der Ausgleichskurve.

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