Verfahren zur Herstellung einer Dotierten Halbleiterschicht

EP3836193 Art B1 9. März 2022

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3836193
Aktenzeichen: EP20206205
Anmeldetag: 6. November 2020
Veröffentlichung: 9. März 2022
Erteilung: 9. März 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/265H01L33/32H01L33/34H01L33/40// H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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