Halbleiterstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur

EP3836207 Art B1 27. Juli 2022

Anmelder: Technische Universität Dresden, IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3836207
Aktenzeichen: EP19215556
Anmeldetag: 12. Dezember 2019
Veröffentlichung: 27. Juli 2022
Erteilung: 27. Juli 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/48H01Q23/00H01Q1/22H01L25/16H01L23/66H01L23/522H01Q13/10H01Q19/06H01Q21/00H01Q21/06H01L23/00H01L25/065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Technische Universität Dresden
IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Technische Universität Dresden

Deutsche Volluniversität mit Sitz in Dresden, Forschung und Lehre in Natur-, Ingenieur-, Geistes- und Gesellschaftswissenschaften, mit zahlreichen Patentanmeldungen aus ihren technischen Fakultäten und Instituten.

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🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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