Integrierte Gate-All-Around-Schaltungsstrukturen mit Angrenzenden Tiefen Substratdurchkontaktierungen für Elektrische Kontakte mit einer Unterrippe

EP3840045 Art A1 23. Juni 2021

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3840045
Aktenzeichen: EP20197775
Anmeldetag: 23. September 2020
Veröffentlichung: 23. Juni 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/088H01L29/06B82Y10/00H01L21/74H01L27/06H01L29/10H01L29/417H01L29/423H01L29/775H01L27/02H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.631 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von