Verfahren zur Herstellung eines Mosfets und Dadurch Hergestellte Zwischenstruktur
EP3840055
Art A1
23. Juni 2021
Anmelder: Imec VZW 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3840055
- Aktenzeichen
- EP19217025
- Anmeldetag
- 17. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 23. Juni 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L29/786H01L21/336H01L29/417// H01L29/24H01L29/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Imec VZW
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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