Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode, das einen Dimensionierungsschritt einer Halbleiterschicht Umfasst

EP3843161 Art B1 28. September 2022

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3843161
Aktenzeichen: EP20216147
Anmeldetag: 21. Dezember 2020
Veröffentlichung: 28. September 2022
Erteilung: 28. September 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/40// H01L33/44

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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