Tiefe Grabenisolation und Substratverbindung auf Soi
EP3848958
Art A1
14. Juli 2021
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3848958
- Aktenzeichen
- EP21150270
- Anmeldetag
- 5. Januar 2021
- Veröffentlichung
- 14. Juli 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/768H01L21/74
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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