Kondensatorstruktur mit Vertikalen Diffusionsplatten
EP3850665
Art B1
15. November 2023
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3850665
- Aktenzeichen
- EP19913166
- Anmeldetag
- 30. Januar 2019
- Veröffentlichung
- 15. November 2023
- Erteilung
- 15. November 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10N97/00H01L23/64H01L29/66H01L27/07H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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