Verpackungsstruktur für Integrierte Schaltung und Verfahren zu Ihrer Herstellung

EP3850666 Art B1 24. Mai 2023

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3850666
Aktenzeichen
EP19911360
Anmeldetag
22. Januar 2019
Veröffentlichung
24. Mai 2023
Erteilung
24. Mai 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/367H01L21/56H01L23/373H01L23/433H01L23/31H01L23/29B22F1/10B22F3/22B22F5/10B22F5/00B22F7/00B22F7/06B22F7/08C08K3/08C22C5/02C22C5/06C22C9/00C22C21/00H01L21/48// H01L23/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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