Siliziumcarbid-Leistungshalbleiterbauelement mit einer NI3SN4 Aufweisenden Diffusionslötverbindung und Entsprechendes Herstellungsverfahren

EP3852140 Art A1 21. Juli 2021

Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3852140
Aktenzeichen: EP20152638
Anmeldetag: 20. Januar 2020
Veröffentlichung: 21. Juli 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/488H01L21/60

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies Austria AG
Land: 🇦🇹 Österreich

🇦🇹 Infineon Technologies Austria

Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.

680 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von