Neues Ätzverfahren mit In-Situ-Bildung einer Schutzschicht
EP3853904
Art B1
3. April 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3853904
- Aktenzeichen
- EP19914915
- Anmeldetag
- 11. Februar 2019
- Veröffentlichung
- 3. April 2024
- Erteilung
- 3. April 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/50H01L21/311// H10B43/27H01L21/312H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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