Hochspannungshalbleiterbauteil mit Erhöhter Durchbruchspannung und Herstellungsverfahren dafür
EP3853905
Art A1
28. Juli 2021
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3853905
- Aktenzeichen
- EP19917297
- Anmeldetag
- 28. Februar 2019
- Veröffentlichung
- 28. Juli 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/06H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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