Vorrichtung zur Messung einer Übertemperatur eines Leistungshalbleiterbauelements

EP3855145 Art B1 14. Juni 2023

Anmelder: Mitsubishi Electric R & D Centre Europe B.V., Mitsubishi Electric Corporation 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3855145
Aktenzeichen: EP20152878
Anmeldetag: 21. Januar 2020
Veröffentlichung: 14. Juni 2023
Erteilung: 14. Juni 2023
Rechtsraum: EP
IPC: G01K3/00G01K7/01

Abstract

The present invention concerns a device and a method for sensing an overtemperature of a power semiconductor. The invention:- provides a current pulse source through control electrodes of the power semiconductor,- duplicates the current provided by the current pulse source and provides the duplicated current to an emulating device,- compares the voltage across the control electrodes to the voltage across the emulating device,- notifies the result of the comparison.

Anmelder

Firmen: Mitsubishi Electric R & D Centre Europe B.V.
Mitsubishi Electric Corporation
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 Mitsubishi Electric R&D Centre Europe

Niederländische Forschungs- und Entwicklungseinrichtung des japanischen Mitsubishi-Electric-Konzerns. Betreibt technologische Forschung für Elektronik-, Kommunikations- und Automatisierungslösungen für den europäischen Markt.

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Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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