Transistorkonstruktion
EP3855506
Art A1
28. Juli 2021
Anmelder: STMicroelectronics (Rousset) SAS 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3855506
- Aktenzeichen
- EP21151966
- Anmeldetag
- 18. Januar 2021
- Veröffentlichung
- 28. Juli 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/06H01L29/40H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics (Rousset) SAS
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
STMicroelectronics (Rousset)
Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Cabinet Beaumont
Cabinet Beaumont · Grenoble