Verfahren zur Herstellung eines Ohmschen Kontakts zu Siliciumcarbid des Typs P
EP3859767
Art B1
15. Juni 2022
Anmelder: Hitachi Energy Switzerland AG, ABB Power Grids Switzerland AG 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3859767
- Aktenzeichen
- EP20155173
- Anmeldetag
- 3. Februar 2020
- Veröffentlichung
- 15. Juni 2022
- Erteilung
- 15. Juni 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/265// H01L29/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Hitachi Energy Switzerland AG
ABB Power Grids Switzerland AG - Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
Hitachi Energy Switzerland
Schweizer Gesellschaft des Hitachi-Konzerns, die Technik für Stromübertragung und -verteilung, Netzstabilität und Energieinfrastruktur entwickelt und liefert.
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🇨🇭
ABB Power Grids Switzerland
Schweizer Konzerngesellschaft im Bereich Energieübertragung, ehemals Teil von ABB und heute mit Hitachi verbunden. Entwickelt Technik für Stromnetze und Schaltanlagen.
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