Vorrichtung zum Ziehen eines Einkristalls aus Halbleitermaterial nach der Cz-Methode aus einer Schmelze und Verfahren unter Verwendung der Vorrichtung

EP3864198 Art B1 7. September 2022

Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3864198
Aktenzeichen
EP19779481
Anmeldetag
27. September 2019
Veröffentlichung
7. September 2022
Erteilung
7. September 2022
Rechtsraum
EP
IPC
C30B15/20C30B15/26C30B15/14C30B29/06C30B29/08
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Siltronic AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Siltronic

Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.

281 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen