Verfahren zur Programmierung in Flash-Speichervorrichtungen

EP3877978 Art B1 12. Juli 2023

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3877978
Aktenzeichen
EP19943718
Anmeldetag
28. August 2019
Veröffentlichung
12. Juli 2023
Erteilung
12. Juli 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/08G11C16/24G11C16/04G11C11/56G11C16/34G11C16/10
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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