Verfahren zur Programmierung einer Speichervorrichtung
EP3877979
Art B1
12. Juli 2023
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3877979
- Aktenzeichen
- EP19950627
- Anmeldetag
- 29. Oktober 2019
- Veröffentlichung
- 12. Juli 2023
- Erteilung
- 12. Juli 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/10G11C16/08G11C11/56G11C16/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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