Dreidimensionale Speichervorrichtungen und Herstellungsverfahren dafür

EP3878013 Art B1 3. April 2024

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3878013
Aktenzeichen
EP19922600
Anmeldetag
28. Juni 2019
Veröffentlichung
3. April 2024
Erteilung
3. April 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H10B43/27H10B41/27H01L29/788H01L29/792H01L21/768
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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