Herstellungsverfahren eines Siliziumcarbidwafers, Herstellungsverfahren eines Halbleitersubstrats und Herstellungsverfahren eines Siliziumcarbidhalbleiterbauelements

EP3889324 Art A1 6. Oktober 2021

Anmelder: DENSO CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3889324
Aktenzeichen: EP21161704
Anmeldetag: 10. März 2021
Veröffentlichung: 6. Oktober 2021
Rechtsraum: EP
IPC: C30B23/02C30B29/36C30B33/00B28D5/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: DENSO CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Denso

Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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