Nichtflüchtige Speichervorrichtung und Verfahren zum Programmieren in einer Nichtflüchtigen Speichervorrichtung durch Anlegen mehrerer Bitleitungsvorspannungen
EP3891744
Art B1
26. Juli 2023
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3891744
- Aktenzeichen
- EP19920862
- Anmeldetag
- 6. Juni 2019
- Veröffentlichung
- 26. Juli 2023
- Erteilung
- 26. Juli 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/10G11C16/34G11C16/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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