Verfahren zur Reduzierung der Programmstörung in einer Speichervorrichtung und Speichervorrichtung mit Verwendung davon

EP3891747 Art B1 9. August 2023

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3891747
Aktenzeichen
EP19955646
Anmeldetag
9. Dezember 2019
Veröffentlichung
9. August 2023
Erteilung
9. August 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/08G11C16/10G11C16/32G11C16/34G11C11/56// G11C16/04
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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