Gestapelte Dreidimensionale Heterogene Speichervorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung

EP3891786 Art B1 22. Januar 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3891786
Aktenzeichen
EP19925145
Anmeldetag
5. November 2019
Veröffentlichung
22. Januar 2025
Erteilung
22. Januar 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/60H01L25/18H01L25/00G11C11/00H01L23/00H01L25/065G11C5/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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