Gebundene Halbleiterbauelemente mit Programmierbarer Logikvorrichtung und Nand-Flash-Speicher und Verfahren zur Herstellung Derselben
EP3891796
Art B1
30. Juli 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3891796
- Aktenzeichen
- EP19927464
- Anmeldetag
- 14. Oktober 2019
- Veröffentlichung
- 30. Juli 2025
- Erteilung
- 30. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/18G11C11/00G11C11/401H01L23/31H01L25/00H10D84/03H01L21/285G11C13/00H01L25/065G11C16/04H10D88/00H10B12/00H10B41/27H10B43/27H10B43/40H10B63/00H10N70/20G11C11/56H01L21/20H01L21/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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