Gebundene Halbleiterbauelemente mit Programmierbarer Logikvorrichtung und Dynamischem Direktzugriffsspeicher und Verfahren zur Herstellung davon

EP3891797 Art B1 10. April 2024

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3891797
Aktenzeichen
EP19924870
Anmeldetag
14. Oktober 2019
Veröffentlichung
10. April 2024
Erteilung
10. April 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L25/18H01L21/98G06F13/00G11C5/02G11C11/00H01L25/065// H01L23/00H01L21/78
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung

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