Dreidimensionale Speichervorrichtung mit Eingebettetem Dynamischem Direktzugriffsspeicher

EP3891799 Art B1 19. Juni 2024

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3891799
Aktenzeichen
EP19927324
Anmeldetag
30. April 2019
Veröffentlichung
19. Juni 2024
Erteilung
19. Juni 2024
Rechtsraum
EP
IPC
G11C11/401H01L25/18H01L21/50G11C16/04H01L23/00H01L23/31
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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