Dreidimensionale Speichervorrichtung mit Eingebettetem Dynamischem Direktzugriffsspeicher
EP3891799
Art B1
19. Juni 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3891799
- Aktenzeichen
- EP19927324
- Anmeldetag
- 30. April 2019
- Veröffentlichung
- 19. Juni 2024
- Erteilung
- 19. Juni 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/401H01L25/18H01L21/50G11C16/04H01L23/00H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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